Gigabyte GP-GM30512G-G M.2, SSD | Gigabyte | Gigatech интернет магазин

Описание
Экстремальная производительность дисковой подсистемы Благодаря высококачественному контроллеру и флэш-памяти твердотельный накопитель GIGABYTE M30 обеспечивает высокую скорость на операциях последовательного чтения/записи — до 3500 Мбайт/с и до 2600 Мбайт/с, соответственно. Кроме того, он оснащен быстрыми микросхемами DDR3L DRAM, механизмом SLC-кэширования и способен оперировать расширенными алгоритмами коррекции ошибок на базе LDPC-кода с целью повышения производительности. Накопитель GIGABYTE M30 – это идеальный выбор для организации дисковой подсистемы игрового ПК, а также рабочих и графических станций для создания всевозможного медиаконтента. Устраняя ограничения Твердотельный накопитель GIGABYTE M30 демонстрирует выдающееся быстродействие на операция последовательного чтения/записи - до 3500 Мбайт/с и до 2600 Мбайт/с. Тандем в составе прогрессивного контроллера и быстрой 3D NAND памяти обеспечивает устройству 6-кратное превосходство в скорости над типовыми SATA 3.0 твердотельными накопителями, вплотную приближаясь к предельным, для шинного интерфейса PCIe Gen3 и режима x4, значениям. Ultra Durable, фирменный дизайн печатной платы В условиях повышенной нагрузки температура большинства установленных в SSD контроллеров может достигать 70° C и выше. В этой ситуации срабатывает система защиты, чтобы избежать отказа устройства и риска потери данных. Чем сильнее нагревается SSD, тем быстрее изнашиваются микросхемы флэш-памяти в составе накопителя. Особый конструктив твердотельного накопителя GIGABYTE M30 (удвоенная толщина медных проводников в слоях печатной платы, до 2 унций меди) помогает рассеивать тепло.

Основные характеристики
Емкость: 512 ГБ
Тип флэш-памяти: TLC 3D NAND
Назначение: внешний, для настольного компьютера, для ноутбука и настольного компьютера, игровой, для ноутбука и настольного компьютера, игровой
Форм-фактор: M.2 2280
Подключение
Интерфейсы: PCI-E
Разъем: M.2
Тип разъема M.2: 2280, M
Тип PCI-E: PCI-E 3.0 x4
Параметры накопителя
Объем буфера: 2048 МБ
Скорость чтения: 3500 МБ/с
Скорость записи: 2600 МБ/с
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ): 302000 IOPS
Ударостойкость и ресурс работы
Ударостойкость при работе: 1500 G
Ударостойкость при хранении: 1500 G
Время наработки на отказ: 2000000 ч
Суммарное число записываемых байтов (TBW): 350 ТБ
Функции
Поддержка технологий: NVMe, TRIM, Поддержка секторов размером 4 КБ, TRIM, NVMe, Поддержка секторов размером 4 КБ
Дополнительно
Макс. рабочая температура: 70 °C
Потребляемая мощность: 5.9 Вт
Высота: 2.3 мм
Длина: 80 мм
Ширина: 22 мм