Главная          О Компании          Контакты               Телефон: (012) 449-50-31
Сервис:    (055) 580-44-09
Поиск
Категории
 HP
 Gigabyte
 Lenovo
 Asus
 Dell
 HP
 Toshiba
 Benq
 Sony
 Samsung
 Lenovo
 Gigabyte
 Gigabyte
 Foxconn
 MSI
 Gigabyte
 HP
 Gigabyte
 Creative
 HP
 Kingston
 Super Talent
 Team Group
 TwinMOS
 Samsung
 Dynet
 Hynix
 Patriot
 A-data
 Crucial
 PNY
 Neo Forza
 Seagate
 Western Digital
 HP
 Fujitsu
 Western Digital
 Plextor
 HP
 Seagate
 PNY
 Gigabyte
 Kingston
 ADATA
 AgeStar
 HP
 Lightwave
 Seagate
 SimpleTech
 S-tek
 Transcend
 Western Digital
 Gigabyte
 Benq
 LG
 LITE-ON
 Creative
 Logitech
 HP
 Gigabyte
 Genius
 Edifier
 Sayona
 Creative
 Logitech
 HP
 Codegen
 Gigabyte
 Gigabyte
 GlacialTech
 Godegen
 Mercury
 EVGA
 HP
 Gigabyte
 Zippy
 Logitech
 HP
 A4Tech
 Microsoft
 Creative
 Gigabyte
 Logitech
 HP
 A4Tech
 Genius
 Microsoft
 Creative
 HP
 Benq
 HP
 LG
 Asus
 Lenovo
 Gigabyte
 Benq
 Toshiba
 Canon
 Epson
 HP
 Xerox
 Samsung
 Mustek
 HP
 IRISCard
 Aztech
 Creative
 Shiro
 SMC
 Zyxel
 HP
 TP-Link
 AzTech
 Shiro
 SMC
 Gigabyte
 D-Link
 CNet
 TP-Link
 Zyxel
 HP
 Tp-Link
 SMC
 Kingston
 Super Talent
 TwinMOS
 Silicon Power
 Patriot
 Gigabyte
 GlacialTech
 Powercom
 Dexter
 Canon
 Epson
 Fullmark
 HP
 Lexmark
 Oki
 Panasonic
 Xerox
 Samsung
 Kaspersky
 Dr.Web
 McAfee
 GP
 HP
 Toshiba
 HP
 Toshiba
Производители
 A-data ABBYY
 ADATA Apple
 Aztech Benq
 Canon Codegen
 Creative Crucial
 DeepCool Dell
 Dexter EVGA
 Gigabyte GlacialTech
 GP HP
 Hynix Intel
 IRISCard Kaspersky
 Kingston Lenovo
 LG LITE-ON
 Logitech Microsoft
 Neo Forza Patriot
 Plextor PNY
 Powercom Samsung
 Seagate Shiro
 Silicon Power SMC
 Super Talent Team Group
 TP-Link TwinMOS
 Western Digital
Собери свой компьютер
Samsung демонстрирует 16-Гбит микросхемы памяти и обещает 256-Гбайт модули в этом году

Samsung Electronics на этой неделе показала модуль памяти объёмом 64 Гбайт на базе микросхем ёмкостью 16 Гбит. Продемонстрированный RDIMM предназначен для серверов общего назначения, но позже в этом году указанные чипы памяти будут использованы для модулей памяти объёмом 128 и 256 Гбайт для серверов непрерывного действия.

Монолитные интегральные схемы памяти DDR4 компании Samsung ёмкостью 16 Гбит рассчитаны на скорость передачи данных 2666 МТрансферов/с при напряжении питания 1,2 Вольта. Данные микросхемы производятся с использованием «передового» технологического процесса, но Samsung не раскрывает детали о каком именно техпроцессе идёт речь (логично предполагать, что Samsung использует одну из своих технологий класса «10 нанометров»). Единственное, что мы знаем о новых чипах (помимо ёмкости и скорости), это то, что монолитная архитектура и новый техпроцесс позволяют снизить энергопотребление 64-Гбайт модуля памяти на 20 % по сравнению с аналогичным модулем на базе 8-Гбит микросхем.


Модуль памяти ёмкостью 64 Гбайт на базе микросхем DDR4-2666 объёмом 16 Гбит


Микросхемы памяти ёмкостью 16 Гбит как таковые не являются прорывом. Производители памяти, в том числе Samsung, собирают многослойные DRAM-сборки с использованием TSV-соединений ёмкостью 16–32 Гбит. Типично такие чипы используются для модулей памяти объёмом 64 и 128 Гбайт. Применение многослойных сборок усложняет организацию подсистем памяти. Так, современный 64-Гбайт RDIMM представляет собой четырёхранговый модуль (с двумя физическими и двумя логическими рангами), тогда как модуль объёмом 128 Гбайт имеет восемь рангов (два физических, четыре логических). Сложность архитектуры, а также использование модулей типа LRDIMM (использующих дополнительные буферы) увеличивают задержки модулей памяти, а значит снижают производительность. Например, LRDIMM ёмкостью 64 и 128 Гбайт имеют задержки CL20/CL22 для режимов DDR4-2400/DDR4-2666 соответственно.


Модуль памяти ёмкостью 64 Гбайт на базе микросхем DDR4-2666 объёмом 16 Гбит


Монолитные микросхемы памяти большой ёмкости (16 Гбит в случае с Samsung) позволяют создавать модули и подсистемы оперативной памяти с меньшим количеством чипов, снижая энергопотребление и уменьшая количество рангов в случае с серверами. Так, демонстрируемый RDIMM ёмкостью 64 Гбайт имеет два ранга, против четырёх в случае с сегодняшними модулями аналогичного объёма. Чуть позже в этом году Samsung планирует представить 128-Гбайт RDIMM на базе 16-Гбит чипов c четырьмя рангами, а также 256-Гбайт LRDIMM с восемью рангами.

Современные серверы на базе процессоров AMD EPYC и Intel Xeon Scalable M оснащены 12 или 16 разъёмами памяти на процессорное гнездо. В случае если указанные CPU и платформы способны работать с 16-Гбит микросхемами и 256-Гбайт модулями памяти DDR4, актуальные серверы могут быть экипированы 3–4 Тбайт памяти на процессор. Подобные объёмы ОЗУ станут огромным преимуществом для различных приложений (например, баз данных), требующих больших объёмов оперативной памяти.


Набор модулей памяти Corsair Dominator Platinum


Если же говорить о клиентских платформах (при условии, что они поддерживают микросхемы ёмкостью 16 Гбит и DIMM на их базе), то новые чипы памяти от Samsung могут позволить разработчикам модулей создавать устройства объёмом 32 Гбайт. Последние позволят производителям ПК и энтузиастам устанавливать 256 Гбайт оперативной памяти в высокопроизводительные настольные ПК и рабочие станции на базе процессоров вроде Intel Core i7/i9.

В Samsung говорят, что микросхемы памяти DDR4 ёмкостью 16 Гбит доступны для клиентов уже сейчас, но, естественно, не раскрывают имена своих партнёров, кто планируют использовать данные чипы. Компания также не объявляет стоимость новых 64-Гбайт RDIMM, но поскольку эти продукты нацелены на серверы, они будут продаваться по соответствующим ценам. Что касается стоимости модулей объёмом 128 Гбайт и 256 Гбайт, то пока их сложно даже предполагать. Например, Crucial продает свои 128-Гбайт DDR4 LRDIMM по $4000 (почти 229 тысяч рублей). Учитывая, что будущие модули Samsung обещают предложить больший объём и большую энергоэффективность, их цена будет ожидаемо выше.

 
Главная | Все новости