Главная          О Компании          Контакты               Телефон: (012) 449-50-31
Сервис:    (055) 580-44-09
Поиск
Категории
 HP
 Gigabyte
 Lenovo
 Asus
 Dell
 HP
 Toshiba
 Benq
 Sony
 Samsung
 Lenovo
 Gigabyte
 Gigabyte
 Foxconn
 MSI
 Gigabyte
 HP
 Gigabyte
 Creative
 HP
 Kingston
 Super Talent
 Team Group
 TwinMOS
 Samsung
 Dynet
 Hynix
 Patriot
 A-data
 Crucial
 PNY
 Neo Forza
 Seagate
 Western Digital
 HP
 Fujitsu
 Western Digital
 Plextor
 HP
 Seagate
 PNY
 Gigabyte
 Kingston
 ADATA
 AgeStar
 HP
 Lightwave
 Seagate
 SimpleTech
 S-tek
 Transcend
 Western Digital
 Gigabyte
 Benq
 LG
 LITE-ON
 Creative
 Logitech
 HP
 Gigabyte
 Genius
 Edifier
 Sayona
 Creative
 Logitech
 HP
 Codegen
 Gigabyte
 Gigabyte
 GlacialTech
 Godegen
 Mercury
 EVGA
 HP
 Gigabyte
 Zippy
 Logitech
 HP
 A4Tech
 Microsoft
 Creative
 Gigabyte
 Logitech
 HP
 A4Tech
 Genius
 Microsoft
 Creative
 HP
 Benq
 HP
 LG
 Asus
 Lenovo
 Gigabyte
 Benq
 Toshiba
 Canon
 Epson
 HP
 Xerox
 Samsung
 Mustek
 HP
 IRISCard
 Aztech
 Creative
 Shiro
 SMC
 Zyxel
 HP
 TP-Link
 AzTech
 Shiro
 SMC
 Gigabyte
 D-Link
 CNet
 TP-Link
 Zyxel
 HP
 Tp-Link
 SMC
 Kingston
 Super Talent
 TwinMOS
 Silicon Power
 Patriot
 Gigabyte
 GlacialTech
 Powercom
 Dexter
 Canon
 Epson
 Fullmark
 HP
 Lexmark
 Oki
 Panasonic
 Xerox
 Samsung
 Kaspersky
 Dr.Web
 McAfee
 GP
 HP
 Toshiba
 HP
 Toshiba
Производители
 A-data ABBYY
 ADATA Apple
 Aztech Benq
 Canon Codegen
 Creative Crucial
 DeepCool Dell
 Dexter EVGA
 Gigabyte GlacialTech
 GP HP
 Hynix Intel
 IRISCard Kaspersky
 Kingston Lenovo
 LG LITE-ON
 Logitech Microsoft
 Neo Forza Patriot
 Plextor PNY
 Powercom Samsung
 Seagate Shiro
 Silicon Power SMC
 Super Talent Team Group
 TP-Link TwinMOS
 Western Digital
Собери свой компьютер
SK hynix намерена создать первые в мире чипы DDR5 на передовом техпроцессе 1c

Компания SK hynix объявила о разработке первого в отрасли чипа DDR5 ёмкостью 16 Гбит, который будет выпускаться по технологическому процессу 1c — это самое передовое, шестое поколение технологии производства 10-нм класса.



Со сменой поколений технологий 10-нм класса конструкция компонентов DRAM усложняется, а плотность памяти растёт — теперь SK hynix сообщила, что ей первой на рынке удалось преодолеть технологические ограничения и обозначить переход на производственные нормы нового поколения. Новая технология 1c обещает повышение производительности и ценовой конкурентоспособности. Будучи реализованной для DDR5, она в перспективе будет адаптирована и для других продуктов, в том числе HBM, LPDDR6 и GDDR7. «Мы продолжим работать над закреплением лидерства в области DRAM и позиции самого надёжного поставщика решений памяти для ИИ», — заявил глава отдела разработки DRAM Ким Чжонхван (Kim Jonghwan).

Массовое производство чипов DDR5 с использованием технологии 1c будет готово к запуску в течение года, а уже в 2025-м SK hynix намеревается начать массовые поставки этой продукции. Компания внедрила новые материалы при работе оборудования со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV) и добилась повышения производительности на 30 %, изменив конструкционное исполнение компонентов.

Чипы DDR5 нового поколения 1c будут работать на скорости до 8 Гбит/с — на 11 % быстрее компонентов предыдущего, а их энергоэффективность удалось повысить более чем на 9 %. Развёртывание памяти нового образца в центрах обработки данных поможет предприятиям снизить расходы на электроэнергию на 30 %, подсчитали в SK hynix — это важно, потому что в эпоху активного использования оборудования для систем искусственного интеллекта потребление энергии преимущественно растёт.
 
Главная | Все новости